Datasheet > 存储 > SRAM> IS61LV12816-10B

IS61LV12816-10B

更新时间： 2024-01-02 05:22:12

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	146K
描述
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS61LV12816-10B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	10 ns	其他特性：	TTL AND CMOS COMPATIBLE INTERFACE LEVELS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS61LV12816-10B 数据手册

IS61LV12816

128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

WITH 3.3V SUPPLY

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSI IS61LV12816 is a high-speed, 2,097,152-bit static

RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated

using ICSI's high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power

consumption.

High-speed access time: 8, 10, 12, and 15 ns

CMOS low power operation

TTL and CMOS compatible interface levels

Single 3.3V + 10%power supply

Fully static operation: no clock or refresh

required

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby

mode at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

Three state outputs

Data control for upper and lower bytes

Industrial temperature available

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and

Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write

Enable (WE) controls both writing and reading of the memory.

A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

The IS61LV12816 is packaged in the JEDEC standard 44-pin

400mil SOJ, 44-pin 400mil TSOP-2, and 48-pin 6*8mm TF-

BGA.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution, Inc.

SR023_0C

12 3 4 5 6 7...11

下载PDF

与IS61LV12816-10B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS61LV12816-10BI	ICSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	获取价格
IS61LV12816-10BI	ISSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	获取价格
IS61LV12816-10K	ISSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	获取价格
IS61LV12816-10K	ICSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	获取价格
IS61LV12816-10KI	ISSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	获取价格
IS61LV12816-10KI	ICSI	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS61LV12816-10B

IS61LV12816-10B 技术参数

IS61LV12816-10B 数据手册

与IS61LV12816-10B相关器件

与IS61LV12816-10B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS61LV12816-10B

IS61LV12816-10B 技术参数

IS61LV12816-10B 数据手册

与IS61LV12816-10B相关器件

与IS61LV12816-10B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？