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IC41C8512-35T

更新时间： 2024-02-05 08:39:05

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	226K
描述
512K x 8 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode

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IC41C8512-35T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.400 INCH, TSOP2-28	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
访问模式：	EDO PAGE	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSOP28,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IC41C8512

IC41LV8512

Document Title

512K x 8 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode

Revision History

Revision No

History

Draft Date

Remark

Initial Draft

September 28,2001

The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and

products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.

Integrated Circuit Solution Inc.

DR029-0A 09/28/2001

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IC41C8512-35TI	ICSI	512K x 8 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode	获取价格
IC41C8512-35TI	ISSI	EDO DRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28	获取价格
IC41C8512-50K	ICSI	512K x 8 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode	获取价格
IC41C8512-50KI	ICSI	512K x 8 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode	获取价格
IC41C8512-50KI	ISSI	EDO DRAM, 512KX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28	获取价格
IC41C8512-50T	ICSI	512K x 8 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode	获取价格