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IC41C44002-60J

更新时间： 2024-01-18 11:57:41

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矽成 - ICSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
20页	235K
描述
4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode

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IC41C44002-60J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP2-26/24	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
访问模式：	EDO PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY CAS BEFORE RAS /HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP24/26,.36	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	反向引出线：	NO
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
最大压摆率：	0.11 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IC41C4400x and IC41LV4400x Series

Document Title

4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode

Revision History

Revision No

History

Draft Date

Remark

Initial Draft

add Industrial grade parts

May 20,2001

October 17,2002

Preliminary

The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and

products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.

Integrated Circuit Solution Inc.

DR007-0B 10/17/2002

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IC41C44002-60JI	ICSI	4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode	获取价格
IC41C44002-60JI	ISSI	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24	获取价格
IC41C44002-60T	ICSI	4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode	获取价格
IC41C44002-60T	ISSI	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24	获取价格
IC41C44002-60TI	ICSI	4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode	获取价格
IC41C44002-60TI	ISSI	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24	获取价格