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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 0.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 267 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDMA-N200 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 8589934592 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端子数量： | 200 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 最高工作温度： | 55 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM200,24 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 最大待机电流： | 0.064 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 2.16 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.6 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HYMP112S64LMP8-C5 | HYNIX | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| HYMP112S64LMP8-E3 | HYNIX | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| HYMP112S64LMP8-E4 | HYNIX | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| HYMP112S64M8-C4 | HYNIX | 200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs based on 512 Mb 1st ver. |
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| HYMP112S64M8-E3 | HYNIX | 200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs based on 512 Mb 1st ver. |
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| HYMP112S64MP8 | HYNIX | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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