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HY5DS113222FM-4 PDF预览
型号:
HY5DS113222FM-4
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产品描述:
512M(16Mx32) GDDR SDRAM
应用标签:
存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文档页数/大小:
30页 / 432K
品牌Logo:
品牌名称:
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

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HY5DS113222FM-4

应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟

文档: 30页 / 432K

品牌: HYNIX

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是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
SK HYNIX INC
零件包装代码
BGA
包装说明
LFBGA, BGA144,12X12,32
针数
144
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.28
风险等级
5.92
Is Samacsys
N
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.6 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
250 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
2,4,8
JESD-30 代码
S-PBGA-B144
长度
12 mm
内存密度
536870912 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
32
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
144
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LFBGA
封装等效代码
BGA144,12X12,32
封装形状
SQUARE
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
1.3 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
2,4,8
最大待机电流
0.05 A
子类别
DRAMs
最大压摆率
0.62 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.1 V
最小供电电压 (Vsup)
1.75 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
12 mm
Base Number Matches
1
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HY5DS113222FM(P)
512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM(P)
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any respon-
sibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.1 / Oct. 2004
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