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HY5DS113222FM-4

更新时间: 2024-01-29 09:15:02
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海力士 - HYNIX 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
30页 432K
描述
512M(16Mx32) GDDR SDRAM

HY5DS113222FM-4 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA144,12X12,32
针数:144Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):250 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:S-PBGA-B144长度:12 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA144,12X12,32
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.3 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.05 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.62 mA
最大供电电压 (Vsup):2.1 V最小供电电压 (Vsup):1.75 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:12 mmBase Number Matches:1

HY5DS113222FM-4 数据手册

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HY5DS113222FM(P)  
512M(16Mx32) GDDR SDRAM  
HY5DS113222FM(P)  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any respon-  
sibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.1 / Oct. 2004  
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