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HY57V161610DTC-10I

更新时间： 2024-01-03 05:38:42

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管 ISM频段动态存储器时钟
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描述
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

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HY57V161610DTC-10I 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	50
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G50	JESD-609代码：	e6
长度：	20.95 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	50	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V161610DTC-10I 数据手册

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HY57V161610D-I

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

THE Hynix HY57V161610D is a 16,777,216-bits CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the Mobile applications

which require low power consumption and industrial temperature range. HY57V161610D is organized as 2banks of

524,288x16.

HY57V161610D is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge clock. All inputs and outputs are

synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high band-

width. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 1,2 or 3), the number of consecutive read or

write cycles initiated by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count

sequence(sequential or interleave). A burst of read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate

command or can be interrupted and replaced by a new burst read or write command on any cycle. (This pipeline

design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Auto refresh and self refresh

•

Single 3.0V to 3.6V power supply^Note1)

4096 refresh cycles / 64ms

All device pins are compatible with LVTTL interface

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 and Full Page for Sequence Burst

- 1, 2, 4 and 8 for Interleave Burst

Programmable CAS Latency ; 1, 2, 3 Clocks

JEDEC standard 400mil 50pin TSOP-II with 0.8mm

of pin pitch

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of

system clock

•

Data mask function by UDQM/LDQM

Internal two banks operation

ORDERING INFORMATION

Part No.

Clock Frequency

Organization

Interface

Package

HY57V161610DTC-55I

HY57V161610DTC-6I

HY57V161610DTC-7I

HY57V161610DTC-10I

183MHz

166MHz

143MHz

100MHz

400mil

50pin TSOP II

2Banks x 512Kbits x 16

LVTTL

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied

Rev. 0.3/Mar. 02

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY57V161610DTC-10P	HYNIX	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50	获取价格
HY57V161610DTC-15	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V161610DTC-5	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V161610DTC-55	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V161610DTC-55I	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V161610DTC-6	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格

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