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GM76V256CLFW-10

更新时间: 2024-01-16 08:52:24
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 136K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

GM76V256CLFW-10 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.49
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:18.69 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.86 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:8.6 mmBase Number Matches:1

GM76V256CLFW-10 数据手册

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GM76V256C Series  
32Kx8bit CMOS SRAM  
Document Title  
32K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
Final  
00  
Revision History Insert  
Revised  
Jul.08.2000  
-
-
-
Datasheet format change  
PDIP package type insert  
Pin configuration change  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 00 / Jul. 2000  
Hyundai Semiconductor  

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