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GM76V256CLEFW-85

更新时间: 2024-01-23 08:21:22
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 136K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

GM76V256CLEFW-85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM76V256CLEFW-85 数据手册

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GM76V256C Series  
32Kx8bit CMOS SRAM  
Document Title  
32K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
Final  
00  
Revision History Insert  
Revised  
Jul.08.2000  
-
-
-
Datasheet format change  
PDIP package type insert  
Pin configuration change  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 00 / Jul. 2000  
Hyundai Semiconductor  

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