是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP28,.5 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | 长度: | 18.3895 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP28,.5 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.794 mm |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.035 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8.6865 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GM76V256CLEFW-70 | ETC | x8 SRAM |
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GM76V256CLEFW-85 | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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GM76V256CLET | HYNIX | 32K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM |
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GM76V256CLET-10 | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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GM76V256CLET-70 | ETC | x8 SRAM |
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GM76V256CLET-85 | ETC | x8 SRAM |
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