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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 120 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | 长度： | 37.008 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.826 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GM76U256CLLE | HYNIX | 32K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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| GM76U256CLLE-10 | HYNIX | x8 SRAM |
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| GM76U256CLLE-12 | HYNIX | x8 SRAM |
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| GM76U256CLLEFW | HYNIX | 32K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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| GM76U256CLLEFW-10 | HYNIX | x8 SRAM |
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| GM76U256CLLEFW-12 | HYNIX | x8 SRAM |
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