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GM76U256CLET-10

更新时间: 2024-01-01 09:34:53
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 175K
描述
x8 SRAM

GM76U256CLET-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.03 mA
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM76U256CLET-10 数据手册

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GM76U256C Series  
32Kx8bit CMOS SRAM  
Document Title  
32K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
Final  
00  
Revision History Insert  
Revised  
Jul.08.2000  
-
-
-
Datasheet format change  
PDIP package type insert  
Pin configuration change  
01  
02  
Marking Information Add  
Revised  
Dec.04.2000  
Apr.30.2001  
Final  
Final  
-
AC Test Condition Add : 5pF Test Load  
Changed Logo  
-
HYUNDAI -> hynix  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility  
for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 02 / Apr. 2001  
Hynix Semiconductor  

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