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GM76U256CLE-10

更新时间: 2024-02-20 00:07:32
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 175K
描述
x8 SRAM

GM76U256CLE-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
长度:37.008 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.826 mm最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

GM76U256CLE-10 数据手册

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GM76U256C Series  
32Kx8bit CMOS SRAM  
Document Title  
32K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
Final  
00  
Revision History Insert  
Revised  
Jul.08.2000  
-
-
-
Datasheet format change  
PDIP package type insert  
Pin configuration change  
01  
02  
Marking Information Add  
Revised  
Dec.04.2000  
Apr.30.2001  
Final  
Final  
-
AC Test Condition Add : 5pF Test Load  
Changed Logo  
-
HYUNDAI -> hynix  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility  
for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 02 / Apr. 2001  
Hynix Semiconductor  

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