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GM76FR8128SLTS-15I

更新时间: 2024-01-21 23:40:34
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 573K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDSO32,

GM76FR8128SLTS-15I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP32,.56,20Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:150 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.56,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:2 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000001 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.015 mA
标称供电电压 (Vsup):2 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM76FR8128SLTS-15I 数据手册

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