5秒后页面跳转
GM76C256CLWT-55 PDF预览

GM76C256CLWT-55

更新时间: 2024-01-17 08:37:31
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 393K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28,

GM76C256CLWT-55 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.78
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM76C256CLWT-55 数据手册

 浏览型号GM76C256CLWT-55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM76C256CLWT-55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM76C256CLWT-55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM76C256CLWT-55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM76C256CLWT-55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM76C256CLWT-55的Datasheet PDF文件第7页 

与GM76C256CLWT-55相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM76C256CLWT-70 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76C256CW ETC x8|2.7~5.5V|55/70/85/100/120|Low Power Slow SRAM - 256K

获取价格

GM76C28A ETC 2,048 WORDS X 8 BIT CMOS STATIC RAM

获取价格

GM76C28A10 ETC IC-16K CMOS SRAM

获取价格

GM76C512-10 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76C512-55 ETC x8 SRAM

获取价格