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GM76C256CLE-85

更新时间: 2024-01-21 12:06:05
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 171K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

GM76C256CLE-85 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.78
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28长度:37.008 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.826 mm
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

GM76C256CLE-85 数据手册

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GM76C256C Series  
32Kx8bit CMOS SRAM  
Document Title  
32K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
Final  
00  
Revision History Insert  
Revised  
Jul.07.2000  
-
-
-
Datasheet format change  
PDIP package type insert  
Pin configuration change  
01  
02  
Revised  
Nov.28.2000  
Dec.04.2000  
Final  
Final  
-
tWP Value Change @55ns : 45ns -> 40ns  
Marking Information Add  
Revised  
-
-
AC Test Condition Add : 5pF Test Load  
tCLZ Value Change : 5ns - > 10ns  
03  
Changed Logo  
Apr.30.2001  
Final  
-
HYUNDAI -> hynix  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 03 / Apr. 2001  
Electronics does not assume any  
Hynix Semiconductor  

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