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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 最长访问时间： | 8 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N54 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SON |
| 封装等效代码： | SOLCC54,.3,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GM72V661641DI-8 | HYNIX | Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, |
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| GM72V661641DLI | ETC | 1,048,576WORD X 16BIT X 4BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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| GM72V661641DLI-10K | HYNIX | Synchronous DRAM, 4MX16, 8ns, CMOS, PDSO54, |
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| GM72V66441DI-7J | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, |
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| GM72V66441DLI-10K | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, |
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| GM72V66441ELT | ETC | 16Mx4|3.3V|4K|75|SDR SDRAM - 64M |
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