是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSOP, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 54 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP54,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.0004 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.23 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GM72V281641ALT-7K | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, |
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GM72V281641AT-10K | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX16, 8ns, CMOS, PDSO54, |
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GM72V281641AT-75 | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, |
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GM72V281641AT-7K | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, |
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GM72V28441ALT-10K | HYNIX | Synchronous DRAM, 32MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, |
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GM72V28441ALT-75 | HYNIX | Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, |
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