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GM71VS65803CT-5

更新时间： 2024-01-23 02:55:40

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海力士 - HYNIX		动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	103K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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技术参数
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GM71VS65803CT-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

GM71VS65803CT-5 数据手册

G M 71V 65803C

GM 71V S65803CL

8,388,608 WORDS x 8 BIT

CMOS DYNAMIC RAM

Description

Pin Configuration

32 SOJ / TSOP II

T h e GM 71V ( S)65803C/ C L i s t h e n e w

generation dynamic RA M organized 8,388,608

w o r d s by 8bits. T h e GM 71V (S)65803C/ CL

utilizes advanced CM O S Silicon Gate Process

Technology as w ell as advanced circuit

techniques for w ide operating margins, both

i n t er n al l y and to the system u ser . Sy st em

oriented features include single pow er supply of

3.3V + / -10% tolerance, d i r ect i n t erfacing

capability w ith high performance logic families

such as Schottky TTL.

VSS

IO7

VCC

IO0

IO1

IO2

IO3

IO6

IO5

IO4

VSS

VCC

/CAS

The GM 71V (S)65803C/ CL offers Extended

Data Out (EDO) M ode as a high speed access

mode.

/OE

/WE

/RAS

Features

23 A11

* 8,388,608 Words x 8 Bit

* Extended Data Out (EDO) M ode Capability

* Fast A ccess Tim e & Cycle Tim e

A10

(Unit: ns)

RAC

A A

CAC

H PC

G M 71V (S)65803C/ CL-5

G M 71V (S)65803C/ CL-6

18 A6

VSS

104

VCC

*Pow er dissipation

- A ctive : 522m W / 486mW(M A X)

(Top View)

- Standby : 1.8 mW ( CM OS level : M A X )

0.54mW ( L-Version : M A X)

*EDO page mode capability

*A ccess tim e : 50ns/ 60ns (m ax)

*Refresh cycles

- RA S only Refresh

4096 cycles/ 64 m s (GM 71V65803C)

4096 cycles/ 128m s (GM 71V S65803CL)(L_Version)

*CBR & H idden Refresh

4096 cycles/ 64 m s (GM 71V65803C)

4096 cycles/ 128 m s (GM 71VS65803CL)( L-Version )

*4 variations of refresh

-RA S-only refresh

-CA S-before-RA S refresh

-H idden refresh

-Self refresh (L-V ersion)

*Single Pow er Supply of 3.3V+/ -10 % with a built-in VBB generator

*Battery Back Up Operation ( L-Version )

12 3 4 5 6 7...11

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