生命周期: | Active | 包装说明: | TSOP2, |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | 长度: | 20.95 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GM71VS18163CLT-7 | HYNIX | x16 EDO Page Mode DRAM |
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GM71VS64403ALJ-5 | ETC | x4 EDO Page Mode DRAM |
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GM71VS64403ALJ-6 | ETC | x4 EDO Page Mode DRAM |
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GM71VS64403ALT-5 | ETC | x4 EDO Page Mode DRAM |
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GM71VS64403ALT-6 | ETC | x4 EDO Page Mode DRAM |
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GM71VS64403CLJ-5 | ETC | x4 EDO Page Mode DRAM |
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