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GM71VS16400BLJ-7

更新时间: 2024-01-04 15:56:08
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 1625K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24,

GM71VS16400BLJ-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ24/26,.34Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J24JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ24/26,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:YES最大待机电流:0.0001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM71VS16400BLJ-7 数据手册

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