Datasheet > GM71V18163CLT-6

GM71V18163CLT-6

更新时间： 2024-01-15 07:15:06

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	348K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GM71V18163CLT-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	50
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.26
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e6	长度：	20.95 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM71V18163CLT-7	HYNIX	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44	获取价格
GM71V18163CT-5	HYNIX	x16 EDO Page Mode DRAM	获取价格
GM71V18163CT-6	HYNIX	x16 EDO Page Mode DRAM	获取价格
GM71V18163CT-7	HYNIX	x16 EDO Page Mode DRAM	获取价格
GM71V4403EJ-60	ETC	x4 EDO Page Mode DRAM	获取价格
GM71V4403EJ-70	ETC	x4 EDO Page Mode DRAM	获取价格