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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 80 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 组织： | 256KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 子类别： | DRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GM71C4256BLJ | LG | New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BLJ-60 | LG | New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BLJ-60 | HYNIX | Fast Page DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PDSO20 |
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| GM71C4256BLJ-70 | LG | New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BLJ-80 | LG | New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BLZ | LG | New Generation Dynamic RAM |
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