5秒后页面跳转
GM71C4170ALR-80 PDF预览

GM71C4170ALR-80

更新时间: 2024-01-27 10:20:01
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 1451K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40

GM71C4170ALR-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP40/44,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:80 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP40/44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
反向引出线:YES自我刷新:NO
最大待机电流:0.0002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM71C4170ALR-80 数据手册

 浏览型号GM71C4170ALR-80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM71C4170ALR-80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM71C4170ALR-80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM71C4170ALR-80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM71C4170ALR-80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM71C4170ALR-80的Datasheet PDF文件第7页 

与GM71C4170ALR-80相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71C4170ALT-10 ETC x16 Fast Page Mode DRAM

获取价格

GM71C4170ALT-70 ETC x16 Fast Page Mode DRAM

获取价格

GM71C4170ALT-80 ETC x16 Fast Page Mode DRAM

获取价格

GM71C4170ALZ-10 ETC x16 Fast Page Mode DRAM

获取价格

GM71C4170ALZ-70 ETC x16 Fast Page Mode DRAM

获取价格

GM71C4170ALZ-80 ETC x16 Fast Page Mode DRAM

获取价格