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GM71C4100CLT-70

更新时间: 2024-01-15 14:03:59
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 353K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20,

GM71C4100CLT-70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TSOP, TSOP20/26,.36Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.77最长访问时间:70 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-G20
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP20/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:NO
最大待机电流:0.0002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.1 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM71C4100CLT-70 数据手册

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