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GM71C4100CLJ-60

更新时间： 2024-01-13 13:40:54

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	353K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, SOJ-26

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GM71C4100CLJ-60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ20/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM71C4100CLJ-70	HYNIX	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, SOJ-26	获取价格
GM71C4100CLJ-80	HYNIX	Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20,	获取价格
GM71C4100CLR-60	ETC	x1 Fast Page Mode DRAM	获取价格
GM71C4100CLR-70	HYNIX	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20,	获取价格
GM71C4100CLR-80	ETC	x1 Fast Page Mode DRAM	获取价格
GM71C4100CLT-60	HYNIX	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20,	获取价格