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GM71C17400A-J8

更新时间: 2024-02-28 15:57:38
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 1530K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24

GM71C17400A-J8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
最长访问时间:80 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J24JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ24/26,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM71C17400A-J8 数据手册

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