HMC347C8

更新时间： 2024-01-14 14:28:33

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HITTITE		射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管分离技术隔离技术
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6页	180K
描述
GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPDT SWITCH, DC - 8.0 GHz

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HMC347C8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SOP8,.3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.41	Is Samacsys：	N
1dB压缩点：	23 dBm	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	最大输入功率 (CW)：	26.99 dBm
最大插入损耗：	2.8 dB	最小隔离度：	32 dB
JESD-609代码：	e4	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	8
准时：	0.006 µs	最大工作频率：	8000 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC
封装等效代码：	SOP8,.3	端口终止：	ABSORPTIVE
射频/微波设备类型：	SPDT	子类别：	RF/Microwave Switches
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier	Base Number Matches：	1

HMC347C8 数据手册

HMC347C8

v01.0404

MICROWAVE CORPORATION

GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION

SPDT SWITCH, DC - 8.0 GHz

Typical Applications

The HMC347C8 is ideal for:

• Telecom Infrastructure

Features

Isolation: 50 dB @ 2.5 GHz

36 dB @ 8.0 GHz

Insertion Loss: 2.0 dB Typical

Non-Reﬂective Design

• Microwave Radio & VSAT

• Military Radios, Radar & ECM

• Test Instrumentation

Surface Mount Ceramic Package

General Description

Functional Diagram

The HMC347C8 is a broadband high isolation

non-reﬂective GaAs MESFET SPDT switch in

a non-hermetic surface mount ceramic package.

Covering DC to 8.0 GHz, the switch features >50

dB isolation up to 2 GHz and >35 dB isolation up

to 8.0 GHz. The switch operates using comple-

mentary negative control voltage logic lines of -5/

0V and requires no bias supply. This SPDT is an

excellent replacement for the HMC132C8 SPDT.

Electrical Speciﬁcations,T_A= +25° C, With 0/-5V Control, 50 Ohm System

Parameter

Frequency

Min.

Typ.

Max.

Units

DC - 2.0 GHz

DC - 6.0 GHz

DC - 8.0 GHz

1.7

2.0

2.4

2.0

2.4

2.8

Insertion Loss

DC - 2.0 GHz

DC - 6.0 GHz

DC - 8.0 GHz

Isolation

DC - 2.0 GHz

DC - 6.0 GHz

DC - 8.0 GHz

Return Loss

“On State”

“Off State”

DC - 2.0 GHz

DC - 6.0 GHz

DC - 8.0 GHz

Return Loss RF1, RF2

Input Power for 1 dB Compression

Input Third Order Intercept

0.5 - 8.0 GHz

dBm

(Two-Tone Input Power= +7 dBm Each Tone, 1 MHz Tone Separation)

Switching Characteristics

tRISE, tFALL (10/90% RF)

tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)

DC - 8.0 GHz

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

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14 - 194

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