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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | TSSOP, TSSOP8,.25 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.81 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 10 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节： | 1010DDDR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.4 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 2/5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 串行总线类型： | I2C |
| 最大待机电流： | 0.000003 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 3 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 15 ms |
| 写保护： | HARDWARE |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HN58X2464STI | RENESAS | 8KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8 |
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| HN58X2464STIE | RENESAS | Two-wire serial interface 32k EEPROM (4-kword x 8-bit)/64k EEPROM (8-kword x 8-bit) |
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| HN58X2464T | HITACHI | Two-wire serial interface 2k / 4k / 8k / 16k / 32k / 64k EEPROM(8-kword x 8-bit) |
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| HN58X2464T | RENESAS | EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8 |
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| HN58X2464TI | HITACHI | Two-wire serial interface 8k EEPROM (1-kword x 8-bit)/16k EEPROM (2-kword x 8-bit)/32k EEP |
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| HN58X2464TIE | RENESAS | Two-wire serial interface 8k EEPROM (1-kword |
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