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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ20/26,.4 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.55 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 60 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J20 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 17 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ20/26,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 座面最大高度： | 3.76 mm | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.11 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8.89 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HM514400AJ-7 | HITACHI | 1,048,576-WORD x 4-BIT DYNAMIC RAM |
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| HM514400AJ-8 | HITACHI | 1,048,576-WORD x 4-BIT DYNAMIC RAM |
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| HM514400AJI8 | ETC | x4 Fast Page Mode DRAM |
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| HM514400ALJ-6 | HITACHI | 1,048,576-WORD x 4-BIT DYNAMIC RAM |
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| HM514400ALJ-7 | HITACHI | 1,048,576-WORD x 4-BIT DYNAMIC RAM |
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| HM514400ALJ-8 | HITACHI | 1,048,576-WORD x 4-BIT DYNAMIC RAM |
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