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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ517YYUR

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2SJ517YYUR

更新时间： 2024-01-07 07:58:02

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体开关小信号场效应晶体管电源开关
页数	文件大小	规格书
8页	46K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ517YYUR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.43 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ517YYUR 数据手册

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2SJ517

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-575B (Z)

3rd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.18 Ω typ. (at V_GS=–4V, I_D=–1A)

•

•

•

Low drive current

High speed switching

2.5V gate drive devices.

Outline

UPAK

1

2

3

D

4

G

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

S

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ518	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ518	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ518AZTL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ518AZTR-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ520	SANYO	Load Switching Applications	获取价格
2SJ520TP	SANYO	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-251VAR	获取价格

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