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2SJ506

更新时间: 2024-01-06 00:35:39
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
10页 53K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ506 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:DPAK(S)包装说明:,
针数:4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.7Is Samacsys:N
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

2SJ506 数据手册

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2SJ506(L), 2SJ506(S)  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-548  
Target Specification 1st. Edition  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.065 typ. (at VGS = –10V, ID = –5A)  
Low drive current  
High speed switching  
4V gate drive devices.  
Outline  
DPAK–2  
4
4
D
1
2
3
G
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
S

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