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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ506(S)TL

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2SJ506(S)TL

更新时间： 2024-02-18 22:14:33

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
10页	53K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ506(S)TL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	,
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ506(S)TL 数据手册

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2SJ506(L), 2SJ506(S)

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-548

Target Specification 1st. Edition

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.065 Ω typ. (at V_GS= –10V, I_D= –5A)

Low drive current

•

•

•

High speed switching

4V gate drive devices.

Outline

DPAK–2

4

4

D

1

2

3

G

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

1

2

3

S

12 3 4 5 6 7...10

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与2SJ506(S)TL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ506(S)TR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ506(S)TR	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SJ506L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ506L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ506L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ506S	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格

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