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2SJ505(S)TL

更新时间: 2024-02-12 07:52:11
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
10页 56K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SJ505(S)TL 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:LDPAK(S)-(1)包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.33
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.036 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:20晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ505(S)TL 数据手册

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2SJ505(L), 2SJ505(S)  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-547  
Target specification 1st. Edition  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.017typ.  
Low drive current.  
4V gate drive devices.  
High speed switching.  
Outline  
LDPAK  
4
4
D
1
2
3
G
1
2
3
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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