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2SJ484WYTL

更新时间: 2024-01-24 08:43:31
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日立 - HITACHI 晶体开关小信号场效应晶体管电源开关
页数 文件大小 规格书
9页 46K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SJ484WYTL 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:UPAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.26
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.45 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ484WYTL 数据手册

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2SJ484  
Silicon P-Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-501 A  
2nd. Edition  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.18 typ. (at VGS = –10V, ID = –1A)  
Low drive current  
High speed switching  
4V gate drive devices.  
Outline  
UPAK  
1
2
3
4
D
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
G
S

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