是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DPAK(S) | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A |
最大漏极电流 (ID): | 3 A | 最大漏源导通电阻: | 2.3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e6 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 20 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ319STL-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |
|
2SJ320 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
获取价格 |
|
2SJ321 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220FN |
获取价格 |
|
2SJ322 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220FN |
获取价格 |
|
2SJ323 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220FN |
获取价格 |
|
2SJ324 | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
获取价格 |