生命周期: | Transferred | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.27 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 12 V | 最大漏极电流 (ID): | 2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.7 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ317TR | RENESAS | 暂无描述 |
获取价格 |
|
2SJ318(L) | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
获取价格 |
|
2SJ318(S) | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
获取价格 |
|
2SJ318(S)TL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
获取价格 |
|
2SJ318L | ETC |
获取价格 |
||
2SJ318S | ETC |
获取价格 |