是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.2 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.45 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ247-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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2SJ248 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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2SJ248 | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
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2SJ248-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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2SJ251 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
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2SJ252 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB |
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