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2SJ247

更新时间: 2024-02-06 15:01:40
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 50K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

2SJ247 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.2Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.45 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):40 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

2SJ247 数据手册

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2SJ247  
Silicon P-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Suitable for switching regulator, DC-DC converter  
Outline  
TO-220AB  
1
D
2
3
1. Gate  
2. Drain  
G
(Flange)  
3. Source  
S

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