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2SJ175

更新时间： 2024-01-06 12:55:08

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	34K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

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2SJ175 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SJ175 数据手册

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2SJ175

Silicon P-Channel MOS FET

November 1996

Application

High speed power switching

Features

•

•

•

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

4 V gate drive device

Can be driven from 5 V source

•

Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

Outline

TO-220FM

D

1

2

3

1. Gate

G

2. Drain

3. Source

S

12 3 4 5

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与2SJ175相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ176	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ177	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ178	NEC	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING	获取价格
2SJ178-AZ	NEC	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o	获取价格
2SJ179	RENESAS	Old Company Name in Catalogs and Other Documents	获取价格
2SJ179	NEC	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING	获取价格

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