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IRF531R

更新时间: 2024-02-23 03:26:02
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哈里斯 - HARRIS 晶体晶体管开关脉冲局域网
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5页 394K
描述
N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated

IRF531R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.68
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):69 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:80 V最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A
最大漏极电流 (ID):14 A最大漏源导通电阻:0.16 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:79 W
最大功率耗散 (Abs):79 W最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):71 ns
最大开启时间(吨):66 nsBase Number Matches:1

IRF531R 数据手册

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