W01

更新时间： 2024-02-09 00:17:53

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描述
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE

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W01 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PBCY-W4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	50 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PBCY-W4
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大重复峰值反向电压：	50 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

W01 数据手册

W005 THRU W10

SINGLE-PHAS

E SILICON BRIDGE

Reverse Voltage -

Forward Current -

50 to 1000 Volts

1.5 Amperes

Features

Surge overload rating - 50 amperes peak

Ideal for printed circuit board

Reliable low cost construction utilizing molded

plastic technique results in inexpensive product

Mounting Position: Any

DIMENSIONS

inches

DIM

Note

Max.

Min.

0.355

0.265

1.20

Max.

Min.

9.0

0.395

0.305

10.0

7.75

6.73

30.5

32.3

4.6

1.27

0.180

0.028

0.220

0.032

5.6

0.81

0.71

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Symbols

W005

W01

W02

W04

W06

W08

W10

Units

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Volts

RRM

RMS

Maximum DC blocking voltage

100

1000

Maximum average forward rectified current

T =25

1.5

Amps

(AV)

Peak forward surge current, 8.3mS single

half sine-wave superimposed on rated load

50.0

5.0

Amps

A²t

FSM

1²t Rating for fusing (t<8.35ms)

I²t

Maximum forward voltage drop

per element at 1.0A peak

1.0

Volt

Maximum DC reverse current at rated

DC blocking voltage per element

T =25

10.0

1.0

T^A=100

Operating temperature range

Storage temperature range

T_J

-55 to +125

-55 to +150

STG

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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