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MB82B009-25PJ

更新时间: 2024-01-28 18:46:00
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Standard SRAM, 128KX9, 25ns, PDSO36

MB82B009-25PJ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ36,.44
针数:36Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88最长访问时间:25 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J36
JESD-609代码:e0内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:9
端子数量:36字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ36,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MB82B009-25PJ 数据手册

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