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ESA8UN3242-70TG-S

更新时间: 2024-01-12 01:37:11
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 160K
描述
EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, PSMA72

ESA8UN3242-70TG-S 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SSIM72针数:72
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PSMA-N72内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:32
端子数量:72字数:8388608 words
字数代码:8000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM72
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:25.4 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.016 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.736 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

ESA8UN3242-70TG-S 数据手册

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