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EOB2UV6482B-60TG-S

更新时间： 2024-02-05 08:09:54

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	111K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA144

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技术参数
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EOB2UV6482B-60TG-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	60 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N144	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
端子数量：	144	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM144,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.88 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

EOB2UV6482B-60TG-S 数据手册

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July 1997

data sheet

Revision 1.0

EOB2UV6482B-60TG-S

16MByte (2M x 64) CMOS EDO DRAM Module - 3.3V

General Description

The EOB2UV6482B-60TG-S is a high performance, EDO (Extended Data Out) 16-megabyte dynamic RAM module organized

as 2M words by 64 bits, in a 144-pin, small outline dual-in-line (SO DIMM) memory module.

The module utilizes eight, Fujitsu MB81V17805B-60PFTN CMOS 2Mx8 EDO dynamic RAMs in a surface mount package on an

epoxy laminate substrate. Each device is accompanied by a decoupling capacitor for improved noise immunity.

Control lines provided are such that byte control is possible. Serial PD on the module is provided by using 128 byte serial EEPROM.

Features

• High Density:16MByte

• Fast Access Time of 60ns (max.)

• Low Power: 3.2W (max.)

- Active (60ns)

57.6mW (max.) - Standby (LVTTL)

28.8mW (max.) - Standby (CMOS)

• LVTTL-compatible inputs and outputs

• Separate power and ground planes to improve noise immunity

• Single power supply of 3.3V±0.3V

• Height: 1.000 inch

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Item

Symbol

Ratings

-0.5 to +4.6

Unit

Voltage on any pin relative to V

Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperate

0 to +70

-55 to +125

°C

opr

stg

Short Circuit Output Current

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

(T_A= 0 to +70 °C)

Symbol

Parameter

Supply Voltage

Min

3.0

Typ

Max

3.6

Unit

3.3

Ground

+0.3

Input High voltage

Input Low voltage

2.0

-0.3

0.8

Fujitsu Microelectronics, Inc./Fujitsu Mikroelektronik GmbH

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与EOB2UV6482B-60TG-S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EOC-20HD100	ETC	HIGH-POWER CHIPLED - EOC - 20 SERIES	获取价格
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EOC-20HR200	ETC	HIGH-POWER CHIPLED - EOC - 20 SERIES	获取价格
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