Datasheet > EDC8UV7244-60JG-S

EDC8UV7244-60JG-S

更新时间： 2024-01-06 22:35:03

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	137K
描述
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EDC8UV7244-60JG-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	60 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N168	内存密度：	603979776 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	72
端子数量：	168	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	38.1 mm
最大待机电流：	0.036 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.656 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

EDC8UV7244-60JG-S 数据手册

浏览型号EDC8UV7244-60JG-S的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号EDC8UV7244-60JG-S的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号EDC8UV7244-60JG-S的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号EDC8UV7244-60JG-S的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号EDC8UV7244-60JG-S的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号EDC8UV7244-60JG-S的Datasheet PDF文件第7页

October 1996

Revision 1.0

DATA SHEET

EDC8UV724(2/4)-(60/70)(J/T)G-S

64MByte (8M x 72) CMOS

EDO DRAM Module - 3.3V (ECC)

General Description

The EDC8UV724(2/4)-(60/70)(J/T)G-S is a high performance, EDO (Extended Data Out) 64-megabyte dynamic RAM module

organized as 8M words by 72 bits, in a 168-pins, dual-in-line (DIMM) memory module with ECC.

The module utilizes thirty-six, Fujitsu MB81V1(7/6)405A-(60/70)(PJ/FN) CMOS 4Mx4 EDO dynamic RAMs in a surface mount

package on an epoxy laminate substrate. Each device is accompanied by a decoupling capacitor for improved noise immunity.

Control lines provided are such that byte control is possible. Serial PD on the module is provided by using 128 byte serial EEPROM.

Features

• High Density: 64MByte

• Fast Access Time of 60/70 ns (max.)

• Low Power:

7.3/6.3W (max.) -Active (60/70 ns) : 2KR

5.3/4.7 W (max.) -Active (60/70 ns) : 4KR

261mW (max.) - Standby (LVTTL)

130mW (max.) - Standby (CMOS)

• LVTTL-compatible inputs and outputs

• Separate power and ground planes to improve noise immunity

• Single power supply of 3.3V±0.3V

• Height: 1.50 inch

• 2K Refresh Cycles

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Item

Symbol

Ratings

-0.5 to +4.6

368

Unit

Voltage on any pin relative to V

Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperate

0 to +70

°C

opr

-55 to +125

-50 to +50

stg

Short Circuit Output Current

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

(T_A= 0 to +70 °C)

Symbol

Parameter

Supply Voltage

Min

Typ

Max

3.6

Unit

3.0

3.3

Ground

+0.3

Input High voltage

Input Low voltage

2.0

-0.3

0.8

Fujitsu Microelectronics, Inc.

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与EDC8UV7244-60JG-S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EDC8UV7244-60TG-S	FUJITSU	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168	获取价格
EDC8UV7244-70JG-S	FUJITSU	EDO DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, PDMA168	获取价格
EDC8UV7244B-60JG-S	FUJITSU	MEMORY MODULE,DRAM,EDO,8MX72,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC	获取价格
EDC8UV7244B-60TG-S	FUJITSU	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168	获取价格
EDCA-0106	ASTRODYNE	10W Ultraminiature Encapsulated Switching Power Supplies	获取价格
EDCA-0107	ASTRODYNE	10W Ultraminiature Encapsulated Switching Power Supplies	获取价格