5秒后页面跳转
EDC4UV6442-70TG-S PDF预览

EDC4UV6442-70TG-S

更新时间: 2024-01-20 08:06:58
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 151K
描述
4MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA168, DIMM-168

EDC4UV6442-70TG-S 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:,针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH备用内存宽度:32
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EDC4UV6442-70TG-S 数据手册

 浏览型号EDC4UV6442-70TG-S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDC4UV6442-70TG-S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDC4UV6442-70TG-S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDC4UV6442-70TG-S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDC4UV6442-70TG-S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDC4UV6442-70TG-S的Datasheet PDF文件第7页 

与EDC4UV6442-70TG-S相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EDC4UV6482-60JG-S FUJITSU EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, PDMA168

获取价格

EDC4UV6482-60TG-S FUJITSU EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, PDMA168

获取价格

EDC4UV7244-60JG-S FUJITSU EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, PDMA168

获取价格

EDC4UV7244-70JG-S FUJITSU EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, PDMA168

获取价格

EDC4UV7282-60JG-S FUJITSU EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, PDMA168

获取价格

EDC4UV7282-60TG-S FUJITSU EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, PDMA168

获取价格