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EDC4BV7242-70TG-S

更新时间： 2024-02-25 18:14:24

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	134K
描述
Memory IC, 4MX72, CMOS, PDMA168

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技术参数
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EDC4BV7242-70TG-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N168	内存密度：	301989888 bit
内存宽度：	72	端子数量：	168
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.028 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	1.72 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

EDC4BV7242-70TG-S 数据手册

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November 1996

Revision 1.0

DATA SHEET

EDC4BV724(2/4)-(60/70)(J/T)G-S

32MByte (4M x 72) CMOS

EDO DRAM Module - 3.3V (ECC), Buffered

General Description

The EDC4BV724(2/4)-(60/70)(J/T)G-S is a high performance, EDO (Extended Data Out) 32-megabyte dynamic RAM module

organized as 4M words by 72 bits, in a 168-pins, dual-in-line (DIMM) memory module with ECC.

The module utilizes eighteen, Fujitsu MB81V1(7/6)405A-(60/70)(PJ/FN) CMOS 4Mx4 EDO dynamic RAMs in a surface mount

package on an epoxy laminate substrate. Each device is accompanied by a decoupling capacitor for improved noise immunity.

Control lines provided are such that Dword control is possible. All signals are buffered (74ABT16244 or equivalent) except RAS,

data and IDs.

Features

• High Density: 32MByte

• Fast Access Time of 60/70 ns (max.)

• Low Power:

7.2/6.2 W (max.) - Active (60-70ns): 2KR

5.4/4.8 W (max.) -Active (60/70 ns): 4KR

360mW (max.) - Standby (LVTTL)

296mW (max.) - Standby (CMOS)

• LVTTL-compatible inputs and outputs

• Separate power and ground planes to improve noise immunity

• Single power supply of 3.3V±0.3V

• Height: 1.00 inch

• 2K/4K Refresh Cycles

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Item

Symbol

Ratings

-0.5 to +4.6

Unit

Voltage on any pin relative to V

Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperate

0 to +70

-55 to +125

-50 to +50

°C

opr

stg

Short Circuit Output Current

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

(T_A= 0 to +70 °C)

Symbol

Parameter

Supply Voltage

Min

Typ

Max

3.6

Unit

3.0

3.3

Ground

+0.3

Input High voltage

Input Low voltage

2.0

-0.3

0.8

Fujitsu Microelectronics, Inc.

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