Datasheet > EDC2UV6482-60TG-S

EDC2UV6482-60TG-S

更新时间： 2024-01-14 18:15:54

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	128K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EDC2UV6482-60TG-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	60 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N168	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
端子数量：	168	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.96 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

EDC2UV6482-60TG-S 数据手册

浏览型号EDC2UV6482-60TG-S的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号EDC2UV6482-60TG-S的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号EDC2UV6482-60TG-S的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号EDC2UV6482-60TG-S的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号EDC2UV6482-60TG-S的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号EDC2UV6482-60TG-S的Datasheet PDF文件第7页

August 1996

Revision 2.0

DATA SHEET

EDC2UV6482-(60/70)(J/T)G-S

16MByte (2M x 64) CMOS EDO DRAM Module - 3.3V

General Description

The EDC2UV6482-(60/70)(J/T)G-S is a high performance, EDO (Extended Data Out) 16-megabyte dynamic RAM module orga-

nized as 2M words by 64 bits, in a 168-pins, dual-in-line (DIMM) memory modules.

The module utilizes eight, Fujitsu MB81V17805A-(60/70) (PJ/FN) CMOS 2Mx8 EDO dynamic RAMs in a surface mount package

on an epoxy laminate substrate. Each device is accompanied by a decoupling capacitor for improved noise immunity.

Control lines provided are such that byte control is possible. Serial PD on the module is provided by using 128 byte serial EEPROM.

Features

• High Density:

• Fast Access Time of 60/70 ns (max.)

• Low Power: 3.5/3.2 W (max.) - Active (60/70 ns)

16MByte

57.6mW(max.) - Standby (LVTTL)

28.8mW(max.) - Standby (CMOS)

• LVTTL-compatible inputs and outputs

• Separate power and ground planes to improve noise immunity

• Single power supply of 3.3V±0.3V

• PCB footprint of less than 1.05 sq. in. (Height: 1.00 inch)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Item

Symbol

Ratings

-0.5 to +4.6

Unit

Voltage on any pin relative to V

Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperate

0 to +70

-55 to +125

°C

opr

stg

Short Circuit Output Current

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

(T_A= 0 to +70 °C)

Symbol

Parameter

Supply Voltage

Min

Typ

Max

3.6

Unit

3.0

3.3

Ground

+0.3

Input High voltage

Input Low voltage

2.0

-0.3

0.8

Fujitsu Microelectronics, Inc.

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与EDC2UV6482-60TG-S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EDC2UV6482B-60TG-S	FUJITSU	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168	获取价格
EDC2UV7282-60JG-S	FUJITSU	EDO DRAM Module, 2MX72, 60ns, CMOS, PDMA168	获取价格
EDC2UV7282-60TG-S	FUJITSU	EDO DRAM Module, 2MX72, 60ns, CMOS, PDMA168	获取价格
EDC2UV7282-70JG-S	FUJITSU	EDO DRAM Module, 2MX72, 70ns, CMOS, PDMA168	获取价格
EDC334Z5R5C	CDE	EDC334Z5R5C	获取价格
EDC334Z5R5H	CDE	EDC334Z5R5H	获取价格