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EDC1UV6411B-60TG-S

更新时间: 2024-02-10 17:04:51
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 387K
描述
EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168

EDC1UV6411B-60TG-S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N168内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
端子数量:168字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:21.844 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.004 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.6 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EDC1UV6411B-60TG-S 数据手册

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