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2SC3059

更新时间: 2024-01-19 00:05:39
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
20页 643K
描述
Silicon High Speed Power Transistor

2SC3059 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
其他特性:RING EMITTER TRANSISTOR外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:850 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:100 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHz最大关闭时间(toff):3800 ns
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2SC3059 数据手册

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